APT150GT120JR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
APT150GT120JR
Основные
вес, г30
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
15 900
+
Бонус: 318 !
Бонусная программа
Итого: 15 900
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) FG, IGBT, 1200V, 150A, SOT-227
Основные
вес, г30
вид монтажаChassis Mount
категория продуктаМодули биполярных транзисторов с изолированным зат
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияIGBTs
продуктIGBT Silicon Modules
размер фабричной упаковки1
тип продуктаIGBT Modules
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаTube
упаковка / блокSOT-227-4
длина38.2 mm
коммерческое обозначениеThunderbolt IGBT, ISOTOP
pd - рассеивание мощности830 W
диапазон рабочих температур55 C to + 150 C
Вес и габариты
технологияSi
максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.1.2 kV
напряжение насыщения коллектор-эмиттер3.2 V
непрерывный коллекторный ток при 25 c170 A
ток утечки затвор-эмиттер900 nA
Высота 9.6 мм
Ширина25.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль