MAX22700EASA+, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона и Низкая Сторона, GaN HEMT, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов)
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов• High CMTI (300KV/µs, typ)• Robust galvanic isolation• Withstands ±5KV surge between GNDA and VSSB with 1.2/50µs waveform• Precision UVLO• Single ended input
Отзывов нет