MAX22700EASA+, Gate Driver, 1 канал(-ов), Высокая Сторона и Низкая Сторона, GaN HEMT, SiC MOSFET, 8 вывод(-ов)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: MAX22700EASA+
Электронные компоненты Микросхемы Драйверы MOSFET и IGBT Analog Devices MAX22700EASA+, Gate Driver, 1 канал(-ов) ...
Analog Devices
Информация о производителе
ПроизводительAnalog Devices
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:47:39
БрендAnalog Devices
1
+
Бонус: 0.02 !
Бонусная программа
Итого: 1
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы Затворов• High CMTI (300KV/µs, typ)• Robust galvanic isolation• Withstands ±5KV surge between GNDA and VSSB with 1.2/50µs waveform• Precision UVLO• Single ended input
Информация о производителе
ПроизводительAnalog Devices
Основные
Дата загрузки29.04.2024
Время загрузки5:47:39
БрендAnalog Devices
Вес и габариты
ic case / packageNSOIC
категорияЭлектронные компоненты/Микросхемы
количество каналов1канал(-ов)
количество выводов8вывод(-ов)
конфигурация приводаВысокая Сторона и Низкая Сторона
максимальная рабочая температура125°C
максимальное напряжение питания5.5В
минимальная рабочая температура-40°C
минимальное напряжение питания
партномер8006816214
стиль корпуса приводаNSOIC
тип переключателя питанияGaN HEMT, SiC MOSFET
тип входаInverting, Non-Inverting
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 3-168 часов
задержка по входу35нс
задержка выхода35нс
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль